New Facing Targets Sputtering 新対向ターゲット形スパッタリング技術

 

関連情報



NFTS関連特許


　門倉博士は新対向ターゲット形スパッタリング（NFTS）技術に関する特許を国内、海外それぞれ積極的に取得を行っています。NFTS技術に関する現在有効な国内、海外特許をそれぞれ示します。

国内特許

JP 1862127
JP 2036461
JP 3807684
JP 3809686
JP 3510967
JP 3886209

海外特許

USP 6,156,172
USP 6,881,311
USP 6,911,123

NFTS技術掲載出版物


オプトエレクトロニクス分野を中心としたスパッタリング法による薄膜作製・制御技術
第2章　第4節　「新対向ターゲット式スパッタ装置による高品質・高速薄膜作製技術」　門倉貞夫【技術情報協会　2006年10月31日】

ディスプレイ・光学部材における薄膜製造技術
第4章　第12節　「透明断熱フィルム」　門倉貞夫　　【情報機構　2007年8月30日】

透明断熱フィルム・遮熱ウィンドウフィルム・素材の最新技術開発動向
第2章　第6節　「新技術による透明断熱フィルムの高機能・量産方式と応用製品の展開」　門倉貞夫【AndTech社　2012年4月20日】

NFTS関連論文


  1. M. Naoe, S. Kadokura,"Preparation of Co-Cr-Ta films with nano-size magnetic domains for1000 kfci media",MMM 193(1999)185-191
  2. S. Kadokura, M. Naoe,"Perpendicular Co-Cr thin films using a new sputtering plasma generatingapparatus", MMM 193(1999) 114-116
  3. S. Kadokura, M. Naoe, Y. Maeda,"Nano-size Magnetic Crystallite Formation in Co-Cr Thin Films for Perpendicular Recording Media", IEEE Trans. on Magn. vol.34, pp.1642-1644(1998)
  4. S. Kadokura, M. Naoe, "Advanced sputtering techniques for high rate-,plasma free-deposition and excellent target utility with uniform erosion", Vacuum/vol.51/No.4/pp.683-686(1998)
  5. 特願平9-239236、特願平9-143590、特願平8-277683、特願平8-203322、特願平8-162676、U.S. P.A. S.N.09/088,091
  6. 直江正彦、門倉貞夫"プラズマフリースパッタCo-Cr膜における結晶子のナノ構造と極微細Coリッチ領域,日本応用磁器学会、Vol.21, Suppl.S1, pp.1-4(1997)
  7. 門倉貞夫、直江正彦"Co-Cr薄膜形成における熱流計測によるスピノーダル分解プロセスの評価.日本応用磁器学会、Vol.21, Suppl. S1, pp.5-9(1997)
  8. S. Kadokura, M. Naoe, " Sputtering Conditions for Depositing Co-Cr-Ta　Films with Voidless　Morphology and Nano-size Domains", IEEE Trans. on Magn., vol.32, pp.3816-3818(1996)
  9. M. Hirasaka, S. Kadokura & S. Sobajima,"Microstructure of Co-Cr Film Prepared by Facing Targets Sputtering System", J.Magn.Soc. Jpn. vol.18, Suppl.No.S1,(PMRC'94), pp.19-22(1994)
  10. M. Naoe, S. Kadokura,"Voidless Grainboundary Growth Process of Co-Cr Thin Films", J.Magn.Soc. Jpn. vol.18, Suppl.No.S1, (PMRC'94), pp.331-334(1994)
  11. 門倉貞夫、直江正彦、本庄和彦"水平磁界内蔵形対向ターゲット式スパッタリング"、電子情報通 学会論文誌、'91/8　Vol．J74-C-II、pp.642-651(1991)
  12. S. Kadokura and K. Honjo, Plasma confinement technology of Facing Taget Sputtering Systems for Large scale mass production coaters, Advanced Materials '93, II/B: Information Storage Materials, Trans. Mat. Res. Soc., Jpn., Vol. 15B, 737-742 (1993)



NFTS技術履歴


  • 平成8年6月 門倉博士がNFTS技術の会社設立
  • 平成9年7月 創造的事業活動の推進に関する臨時処理法第4条3項の規定に基づいた認定を受理（9労経計計創第557号）
  • 平成9年度東京都創造的技術開発助成金交付の決定（9労経計計創第338号）
    資本金を1000万円に増資
  • 平成10年2月 認定研究開発事業計画の変更に関する認定を受理（9労経計計創第557号の2号）
  • 平成10年3月 帝人(株)より対向ターゲット式スパッタ装置とその製法に関する特許権の譲渡を受理
  • 平成11年1月 三和ベンチャー育成基金の認定を受理
  • 平成11年3月 富士ニュービジネス育成基金の認定を受理
  • 平成11年4月 株式会社 エフ・ティ・エス コーポレーションに改組
  • 平成11年度東京都創造的技術開発助成金交付の決定（11労経計計大105号）：「フレキシブル電子デバイス作製用 新装置の開発」
  • 平成11年7月 資本金2000万円に増資
  • 平成12年2月 平成11年度東京都創造的技術開発助成に基く「フレキシブル電子デバイス作製用新装置」開発完成
  • 平成12年3月 認定研究開発事業計画の変更に関する認定を受理（9労経計計創第557号の2号）
  • 平成14年8月 SBIR R/D 「省エネルギーフィルム製造技術創生」課題受託研究開始（中小企業総合事業団）
  • 平成15年4月 ターゲット幅140cmの箱型プラズマ源開発
    広幅ウェブコーター開発開始
  • 平成15年6月 SBIR R/D 「省エネルギーフィルム製造技術創生」課題受託（第2年度）
  • 平成15年9月 平成15年東京都外国特許出願費用採択（NFTS技術関連）
  • 平成16年4月 半導体用静止対向型NFTS装置開発
  • 平成17年10月 平成17年東京都外国特許出願費用採択（NFTS技術関連）
  • 平成17年11月～20年3月
    ＮＥＤＯ助成による「新対向ターゲット式スパッタによる透明断熱フィルムの実用開発の推進」
  • 平成20年12月 日本製鋼所株式会社とのNFTS量産装置共同開発開始
    「NFTS透明断熱フィルム」の有償テスト開始
    「セミコンジャパン2008」に出展（日本製鋼所株式会社ブース）
  • 平成30年4月 株式会社トヤマに事業移管

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